Follow
Ярослав Соловьёв
Ярослав Соловьёв
Заместитель директора Филиала "Транзистор" по техническим вопросам
Verified email at bsuir.by
Title
Cited by
Cited by
Year
Технология интегральной электроники
ЛП Ануфриев, СВ Бордусов, ЛИ Гурский, АП Достанко, АФ Керенцев, ...
Минск:«Интегралполиграф, 2009
212009
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
ИИ Рубцевич, ЯА Соловьев, ВБ Высоцкий, АИ Дудкин, НС Ковальчук
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011
132011
Структурно-морФологическиЕ особенности границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники
АС Турцевич, ЯА Соловьев, ДЛ Ануфриев, ОВ Мильчанин
Вакуумная техника и технология 16 (4), 271-277, 2006
122006
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
АС Турцевич, ИИ Рубцевич, ЯА Соловьев, ОС Васьков, ВК Кононенко, ...
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012
112012
ДИАГНОСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПОМОЩЬЮ РЕЛАКСАЦИОННОГО ИМПЕДАНС–СПЕКТРОМЕТРА ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ
ОС Васьков, ВС Нисс, ВК Кононенко, АС Турцевич, ИИ Рубцевич, ...
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 47-52, 2015
102015
Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроники
АС Турцевич, ЯА Соловьев, ДЛ Ануфриев, ОВ Мильчанин
Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2006
92006
Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро–и наноэлектроники
АП Достанко, АМ Русецкий, СВ Бордусов, ВЛ Ланин, ЛП Ануфриев, ...
Бестпринт, 2011
82011
Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусах
ВЛ Ланин, АФ Керенцев, ЯА Соловьев
ООО «Медиа КиТ», 2010
82010
Низкотемпературный метод формирования контактного слоя силицида платины для силовых диодов Шоттки
ФФ Комаров, ОВ Мильчанин, ТБ Ковалева, ВА Солодуха, ЯА Соловьев, ...
Доклады Национальной академии наук Беларуси 57 (2), 38-42, 2013
72013
Контактно-барьерные структуры субмикронной электроники
АП Достанко, НВ Богуш, СВ Бордусов, ВП Василевич, ДВ Гульпа, ...
Бестпринт, 2021
62021
Диоды Шоттки на основе силицида платины
ВВ Баранов, ЯА Соловьев, МВ Тарасиков, НК Фоменко
Изв. Белорус. инж. акад, 15, 2003
62003
Влияние температуры быстрой термической обработки на электрофизические свойства пленок никеля на кремнии
ЯА Соловьёв, ВА Пилипенко
Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2020
52020
Управляемые процессы трансформации параметров кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов ионными пучками
ВА Солодуха, ЮП Снитовский, ЯА Соловьев
Вестник Югорского государственного университета, 23-37, 2018
52018
Формирование барьеров Шоттки на основе никель-платинового силицидного сплава
ВА Солодуха, АС Турцевич, ЯА Соловьев, ФФ Комаров, ...
Микроэлектроника 43 (1), 9-9, 2014
52014
Распределение остаточных механических напряжений в тонких пленках
АП Достанко, ВВ Баранов, ЯА Соловьев
Доклады НАНБ 46 (4), 119-122, 2002
52002
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ БЫСТРОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙТВА ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА МЕТАЛЛИЗАЦИИ TI/AL/NI К ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ GAN/ALGAN
АД Юник, ЯА Соловьев, ДВ Жигулин
Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2022
42022
Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов
ВБ Оджаев, АК Панфиленко, АН Петлицкий, ВС Просолович, ...
Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 55-64, 2020
42020
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
ЕВ Луценко, НВ Ржеуцкий, АГ Войнилович, ИЕ Свитенков, ...
Квантовая электроника 49 (6), 540-544, 2019
42019
Особенности изготовления мощных СВЧ-транзисторов методом внутреннего формирования структур
ВА Солодуха, ЮП Снитовский, ЯА Соловьев
Современные проблемы радиоэлектроники, 521-526, 2017
32017
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
ВА Солодуха, АС Турцевич, ЯА Соловьёв, ИИ Рубцевич, АФ Керенцев
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012
32012
The system can't perform the operation now. Try again later.
Articles 1–20