| Structural properties of InGaN/GaN/Al2O3 structure from reciprocal space mapping AK Bilgili, Ö Akpinar, G Kurtulus, MK Ozturk, S Ozcelik, E Ozbay Journal of Materials Science: Materials in Electronics 29, 12373-12380, 2018 | 10 | 2018 |
| A detailed study on optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 multi quantum wells AK Bilgili, Ö Akpınar, MK Öztürk, S Özçelik, Z Suludere, E Özbay Journal of Materials Science: Materials in Electronics 30, 10391-10398, 2019 | 7 | 2019 |
| Investigation of structural, optical and morphological properties of InGaN/GaN structure AK Bilgili, Ö Akpınar, MK Öztürk, C Başköse, S Özçelik, E Özbay Applied Physics A 125, 1-11, 2019 | 7 | 2019 |
| Swanepoel method for AlInN/AlN HEMTs O Akpinar, AK Bilgili, UC Baskose, MK Ozturk, S Ozcelik, E Ozbay Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2020 | 5 | 2020 |
| XRD vs Raman for InGaN/GaN structures AK Bilgili, Ö Akpınar, MK Öztürk, S Özçelik, E Özbay Politeknik Dergisi 23 (2), 291-296, 2019 | 5 | 2019 |
| On the elastic properties of InGaN/GaN LED structures Ö Akpinar, AK Bilgili, MK Öztürk, S Özçelik, E Özbay Applied Physics A, 125:112, 2019 | 5 | 2019 |
| Analyzing the AlGaN/AlN/GaN heterostructures for HEMT applications İK Durukan, Ö Akpınar, C Avar, A Gultekin, MK Öztürk, S Özçelik, E Özbay Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 13 (3), 331-334, 2018 | 4 | 2018 |
| Electron transport properties of Al0.3Ga0.7 N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) Ö Akpınar, AK Bilgili, MK Öztürk, S Özçelik Applied Physics A 126, 1-5, 2020 | 1 | 2020 |
| Investigation of structural, optical and electrical properties of Al0. 3Ga0. 7N/GaN HEMT grown by MOCVD Ö Akpınar, AK Bilgili, MK Öztürk, S Özçelik, E Özbay Politeknik Dergisi 23 (3), 687-696, 2020 | 1 | 2020 |
| MOCVD Yöntemiyle Safir Alttaş Üzerine Büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT Yapısının Yapısal, Optiksel ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi Ö Akpınar, A Bilgili, M Öztürk, S Özçelik, E Özbay | 1 | 2019 |
| Lattice Parameters a-, c-, Strain-Stress Analysis and Thermal Expansion Coefficient of InGaN/GaN Solar Cell Structures Grown by MOCVD AK Bilgili, Ö Akpinar, G Kurtuluş, MK Öztürk, S Özçelik, E Özbay Journal of Polytechnic 22 (1), 33-39, 2019 | 1 | 2019 |
| Al 0.3 Ga 0.7 N/GaN HEMT Yapısı için QMSA Metodu Uygulanması A Bilgili, Ö Akpınar, N Kaya, M Öztürk Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi 13 (4), 2023 | | 2023 |
| Application of QMSA Method for Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT Structure A BİLGİLİ, Ö AKPINAR, N KAYA, M ÖZTÜRK Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi 13 (4), 1377-1385, 2023 | | 2023 |
| Optical Properties of AlInN/AlN HEMTs in Detail Ö Akpınar, A Bilgili, M Öztürk, S Özçelik Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi 12 (2), 521-529, 2022 | | 2022 |
| A Different Approach to Absorption Coefficient and Thickness AK Bılgılı, Ö Akpınar, S Özçelik, M Ozturk Politeknik Dergisi 25 (2), 643-646, 2022 | | 2022 |
| A different approach to absorption coefficient and thickness MK ÖZTÜRK, O Akpinar, S ÖZÇELİK, M Ozturk JOURNAL OF POLYTECHNIC-POLITEKNIK DERGISI, 2022 | | 2022 |
| MOCVD ile Büyütülen Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT'nin Yapısal, Optik ve Elektriksel Özelliklerinin Araştırılması. Ö AKPINAR, AK BİLGİLİ, MK ÖZTÜRK, S ÖZÇELİK, E ÖZBAY Journal of Polytechnic 23 (3), 2020 | | 2020 |
| MOCVD YÖNTEMİYLE SAFİR ALTTAŞ ÜZERİNE BÜYÜTÜLEN AlxGa1-xN/GaN HEMT YAPISININ YAPISAL, OPTİKSEL VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİN İNCELENMESİ Ö Akpınar Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018 | | 2018 |
| MOCVD yöntemiyle safir alttaş üzerine büyütülen AlxGa1-xN/GaN HEMT yapısının yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi Ö Akpinar Fen Bilimleri Enstitüsü, 0 | | |
| Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi Ö AKPINAR, AK BİLGİLİ, MK ÖZTÜRK, S ÖZÇELIK | | |
