Modelarea funcţionării diodei semiconductoare pentru cazul unidimensional G Sprincean Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice) 107 (7 …, 2017 | 1 | 2017 |
Aplicarea metodei Newton la rezolvarea problemelor neliniare, condiționalități, cazul dispozitivului semiconductor G Sprincean Integrare prin cercetare și inovare., 218-225, 2022 | | 2022 |
Modelarea matematică a proceselor neliniare în dispozitivele semiconductoare S Galina | | 2022 |
Comparative analysis of linearization techniques when modeling nonlinear processes in semiconductor devices G Sprincean Mathematics and IT: Research and Education, 80-80, 2021 | | 2021 |
Numerical simulation of nonlinear processes in semiconductor devices with the application of the Newton’s method for linearization G Sprincean Buletinul Academiei de Ştiinţe a Moldovei. Matematica 94 (3), 97-108, 2020 | | 2020 |
Aplicarea metodelor directe la modelarea numerică a proceselor neliniare în dispozitivele semiconductoare G Sprincean Integrare prin cercetare și inovare., 271-276, 2019 | | 2019 |
Chebyshev parameters applied to modeling nonlinear processes in semiconductor devices G Sprincean Proceedings IMCS-55, 237-242, 2019 | | 2019 |
A Comparasion of Some Numerical Methods for Semiconductor Device Problem V Patsyuk, G Sprincean Conference on Applied and Industrial Mathematics, 33-34, 2017 | | 2017 |
Calcularea parametrilor în dispozitivele semiconductoare utilizând metoda parametrilor Chebyshev G Sprincean Integrare prin cercetare și inovare., 261-265, 2016 | | 2016 |
Calcularea parametrilor în dispozitivele semiconductoare G Sprincean Integrare prin cercetare şi inovare., 173-176, 2015 | | 2015 |
INTELEGENTA ARTIFICIALA, FACILITATI SI PROVOCARI PENTRU DIDACTICA MATEMATICA L Solovei44, G Sprincean | | |