| Изучение профиля распределения никеля, имплантированного в кремний, и влияние отжига на структуру БЭ Эгамбердиев, АА Акбаров Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 80-84, 2021 | 14 | 2021 |
| Comparison of electron irradiation on the formation of surface defects in situ and post thin-film LiF/Si (111) deposition UB Sharopov, K Kaur, MK Kurbanov, DS Saidov, SR Nurmatov, ... Thin Solid Films 735, 138902, 2021 | 13 | 2021 |
| Iliev Kh. M., Nasriddinov SS, Toshev AR, Zoirova ME Photoelectric properties of silicon-based solar cells implanted with rare earth elements BE Egamberdiev Conference. Russia, Vladivostok, 204-208, 2006 | 9 | 2006 |
| Study of formation of clusters of atoms of gadolinium in silicon BE Egamberdiyev, SA Tachilin, AR Toshev, FM Isroilov, MS Dehkanov Journal of Critical Reviews 7 (3), 297-301, 2020 | 8 | 2020 |
| Электронно-спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно-имплантированных слоев в кремнии БЭ Эгамбердиев Докторская диссертация–М, 243, 2003 | 8 | 2003 |
| Изучение некоторых особенностей профилей распределения имплантированных атомов Mn, Fe и Ni в Si. БЭ Эгамбердиев, М Абдугабборов Вестник ТГТУ 1, 2, 1994 | 8 | 1994 |
| Manganese depth-concentration profiles in ion-implanted silicon studied by Rutherford backscattering BE Egamberdiev, MY Adylov Technical Physics Letters 27, 168-170, 2001 | 7 | 2001 |
| Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования БЭ Эгамбердиев, АС Маллаев Т.: изд.«Наука и технология» 2019г. 168с, 0 | 7 | |
| Влияние отжига на кристаллическую структуру поверхности кремния, легированного ионами железа и кобальта БЭ Эгамбердиев, АС Маллаев Журнал Физико-математические науки 2 (1), 2021 | 6 | 2021 |
| Humidity sensors based on composite material with nano-dimensional structures B Egamberdiev, F Isroilov, C Rahmatullaev Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 2 (3), 36, 2020 | 6 | 2020 |
| Физика и диагностика поверхности БЭ Эгамбердиев, АТ Мамадалимов, СВ Ковешников Материал поступил в редакцию 20 (17), 460, 2012 | 6 | 2012 |
| Electron spectroscopic studies of physical properties of epitaxial combinations and ionimplanted layers in silicon BE Egamberdiev DSc thesis-M, 243, 2003 | 6 | 2003 |
| The Effect of Annealing On The Crystal Structure of the Surface of Silicon Doped With Iron And Cobalt Ions EB Egamberdiyevich Turkish Journal of Computer and Mathematics Education (TURCOMAT) 12 (3 …, 2021 | 5 | 2021 |
| Silicon silicide structures obtained by ion doping. T.: ed BE Egamberdiev, AS Mallaev Science and Technology 168, 2019 | 5 | 2019 |
| Особенности электронной структуры ионнимплантированных слоев Ni, Fe и Co в кремнии БЭ Эгамбердиев, АС Маллаев, АР Тошев Межд. Конф. Россия, г. Томск, 77-80, 2009 | 5 | 2009 |
| Cholliev, AS Mallaev, ME Zoirova Receiving films CoSi 2/Si (100) and analysis of their morphology and stekhmomstriya o metodama MLE, TFE and RE BE Egamberdiev, B Ch Surface Engineering and Applied Electrochemistry N 1, 88-92, 2007 | 5 | 2007 |
| The Result of Successive Exposure to Reverse and Forward Bias on the Electrophysical Characteristics of ZnO:Al/i-ZnO/CdS/CuIn1 –xGax(S, Se)2/Mo … AG Komilov, BE Egamberdiev, R Kabulov, YZ Nasrullayev, FA Akbarov Applied Solar Energy 58 (4), 476-481, 2022 | 4 | 2022 |
| Высокочувствительные термодатчики на основе сильнокомпенсированного кремния г. Ташкент БЭ Эгамбердиев, АТ Рахманов, АМ Норов Журнал Проблемы энерго и ресурсосбережения, 207-213, 2014 | 4 | 2014 |
| Источники погрешности измерительных преобразователей на основе полупроводников датчиков и разработка методов их компенсации БЭ Эгамбердиев, СС Насриддинов, НФ Зикриллаев Химическая технология контроль и управления, 30-35, 2012 | 4 | 2012 |
| ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОМ РОР ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ АТОМОВ Fe В Si БЭ Эгамбердиев, АТ Рахманов, АС Маллаев, С Розиков Наука и мир 1 (1), 57-60, 2018 | 3 | 2018 |
Utkirjon Sharopov BahodirovichPhysical-Technical Institute of the Academy of Sciences of the Republic of UzbekistanVerified email at uantwerpen.be
