| Излучение света полупроводниковой структурой с квантовой ямой и массивом квантовых точек ВП Евтихиев, ОВ Константинов, АВ Матвеенцев, АЕ Романов Физика и техника полупроводников 36 (1), 79-86, 2002 | 21 | 2002 |
| Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенными квантовыми ямами GaAs ВВ Чалдышев, АС Школьник, ВП Евтихиев, T Holden Физика и техника полупроводников 40 (12), 1466-1469, 2006 | 13 | 2006 |
| Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода АВ Анкудинов, ВП Евтихиев, КС Ладутенко, АН Титков Физика и техника полупроводников 40 (8), 1009-1016, 2006 | 11 | 2006 |
| П, Титков АН Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев 0.7 0.3 Ga Al As и GaAs АВ Анкудинов, ВП Евтихиев, ВЕ Токранов, В Улин Физика и техника полупроводников 33 (5), 594-597, 1999 | 11 | 1999 |
| Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в … ВП Евтихиев, ИВ Кудряшов, ЕЮ Котельников, ВЕ Токранов, АН Титков, ... Физика и техника полупроводников 32 (12), 1482-1486, 1998 | 11 | 1998 |
| Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах НЛ Баженов, КД Мынбаев, ВИ Иванов-Омский, ВА Смирнов, ... Физика и техника полупроводников 39 (10), 1252, 2005 | 9 | 2005 |
| Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов АВ Анкудинов, ЕЮ Котельников, АА Канцельсон, ВП Евтихиев, ... Физика и техника полупроводников 35 (7), 874-880, 2001 | 8 | 2001 |
| Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010] ВП Евтихиев, ВЕ Токранов, АК Крыжановский, АМ Бойко, РА Сурис, ... Физика и техника полупроводников 32 (7), 860-865, 1998 | 8 | 1998 |
| К вопросу о точности количественных измерений локального поверхностного потенциала КС Ладутенко, АВ Анкудинов, ВП Евтихиев Письма в Журнал технической физики 36 (5), 71-77, 2010 | 6 | 2010 |
| Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров ( мкм) с супертонкими активными областями ВП Евтихиев, ДЗ Гарбузов, ЗН Соколова, ИС Тарасов, АВ Чудинов Физика и техника полупроводников 19 (8), 1420-1423, 1985 | 6 | 1985 |
| Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AlGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для полярных оптических фононов Ю Пожела, К Пожела, В Юцене, С Балакаускас, ВП Евтихиев, ... Физика и техника полупроводников 41 (12), 1460-1465, 2007 | 5 | 2007 |
| Лазерная активная область с квантовой ямой и массивом квантовых точек ВП Евтихиев, ОВ Константинов, АВ Матвеенцев Письма в Журнал технической физики 27 (6), 65-70, 2001 | 5 | 2001 |
| Модуляционная оптическая спектроскопия экситонов в структурах с множественными квантовыми ямами GaAs, разделенными туннельно-непрозрачными барьерами ВВ Чалдышев, АС Школьник, ВП Евтихиев Физика и техника полупроводников 41 (12), 1455-1459, 2007 | 4 | 2007 |
| Фотолюминесценция квантовых точек InAs, выращенных на разориентированных подложках GaAs ГВ Астахов, ВП Кочерешко, ДГ Васильев, ВП Евтихиев, ВЕ Токранов, ... Физика и техника полупроводников 33 (9), 1084-1087, 1999 | 4 | 1999 |
| Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (d_а=2\cdot10^-5\div2\cdot10^-6 см), полученные методом жидкостной эпитаксии ДЗ Гарбузов, ИН Арсентьев, АВ Чудинов, ВП Евтихиев Физика и техника полупроводников 18 (11), 2041-2045, 1984 | 4 | 1984 |
| Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС ( мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения ВП Евтихиев, ДЗ Гарбузов Физика и техника полупроводников 17 (9), 1652-1655, 1983 | 4 | 1983 |
| Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах ДМ Самосват, ВП Евтихиев, АС Школьник, ГГ Зегря Физика и техника полупроводников 47 (1), 24-29, 2013 | 3 | 2013 |
| Полевая инжекция электронов низких энергий в гетероструктуру ZnSe/CdSe/ZnSe с использованием сверхвысоковакуумного туннельного микроскопа СА Масалов, КВ Калинина, ВП Евтихиев, СВ Иванов Физика твердого тела 54 (6), 1057-1061, 2012 | 3 | 2012 |
| Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерослоев Ga0. 7Al0. 3As и GaAs АВ Анкудинов, ВП Евтихиев, ВЕ Токранов, ВП Улин, АН Титков Физика и техника полупроводников 33 (5), 594-597, 1999 | 3 | 1999 |
| Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоев, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии ВП Евтихиев, ЕЮ Котельников, ИВ Кудряшов, ВЕ Токранов, ... Физика и техника полупроводников 33 (5), 634-638, 1999 | 3 | 1999 |
