Подписаться
Виниченко А.Н.
Виниченко А.Н.
НИЯУ МИФИ
Подтвержден адрес электронной почты в домене mephi.ru
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays
YD Sibirmovskii, IS Vasil’evskii, AN Vinichenko, IS Eremin, DM Zhigunov, ...
Semiconductors 49, 638-643, 2015
292015
Experimental evaluation of stable long term operation of semiconductor magnetic sensors at ITER relevant environment
I Bolshakova, S Belyaev, M Bulavin, V Brudnyi, V Chekanov, V Coccorese, ...
Nuclear Fusion 55 (8), 083006, 2015
272015
Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the ω-scanning mode
IS Vasil’evskii, SS Pushkarev, MM Grekhov, AN Vinichenko, DV Lavrukhin, ...
Semiconductors 50, 559-565, 2016
142016
Suppression of the metal-insulator transition in magnetron sputtered Ti2O3 films
PV Shvets, D Caffrey, K Fleischer, I Shvets, K O'Neill, GS Duesberg, ...
Thin Solid Films 694, 137642, 2020
112020
An advanced approach to control the electro-optical properties of LT-GaAs-based terahertz photoconductive antenna
AM Buryakov, MS Ivanov, SA Nomoev, DI Khusyainov, ED Mishina, ...
Materials Research Bulletin 122, 110688, 2020
102020
Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit
DA Safonov, AN Klochkov, AN Vinichenko, YD Sibirmovsky, NI Kargin, ...
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 133, 114787, 2021
92021
New structure for photoconductive antennas based on {LTG-GaAs/GaAs: Si} superlattice on GaAs (111) a substrate
GB Galiev, IN Trunkin, AL Vasiliev, IS Vasil’evskii, AN Vinichenko, ...
Crystallography Reports 64, 205-211, 2019
92019
Electron transport in PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at different temperatures: influence of one-side δ-Si doping
DA Safonov, AN Vinichenko, NI Kargin, IS Vasil’evskii
Semiconductors 52, 189-194, 2018
82018
Технология и электронные свойства PHEMT-квантовых ям AlGaAs/Iny (z) Ga1− y (z) As/GaAs с переменным профилем состава
ИС Васильевский, АН Виниченко, ММ Грехов, ВП Гладков, НИ Каргин, ...
Физика и техника полупроводников 48 (9), 1258, 2014
82014
Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs
АН Виниченко, ВП Гладков, НИ Каргин, МН Стриханов, ...
Физика и техника полупроводников 48 (12), 1660-1665, 2014
72014
The influence of the annealing regime on the properties of terahertz antennas based on low-temperature-grown gallium arsenide
SA Nomoev, IS Vasil’evskii, AN Vinichenko, KI Kozlovskii, AA Chistyakov, ...
Technical Physics Letters 44, 44-46, 2018
62018
Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме ω-сканирования
ИС Васильевский, СС Пушкарев, ММ Грехов, АН Виниченко, ...
Физика и техника полупроводников 50 (4), 567-573, 2016
62016
Increase of the electron mobility in HEMT heterostructures with composite spacers containing AlAs nanolayers
AN Vinichenko, VP Gladkov, NI Kargin, MN Strikhanov, IS Vasil’evskii
Semiconductors 48, 1619-1625, 2014
62014
THz radiation of photoconductive antennas based on {LT-GaAa/GaAa: Si} superlattice structures
AN Klochkov, EA Klimov, PM Solyankin, MR Konnikova, IS Vasil’evskii, ...
Optics and Spectroscopy 128, 1010-1017, 2020
52020
Investigation of semiconducting materials for magnetic field sensors in strong magnetic fields under cryogenic temperatures
I Vasil’evskii, A Vinichenko, M Strikhanov, N Kargin, T Kuech, K Rogacki, ...
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 475 (1), 012015, 2019
52019
Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures
SV Gudina, YG Arapov, EI Ilchenko, VN Neverov, AP Savelyev, ...
Semiconductors 52, 1551-1558, 2018
52018
Temperature dependence of photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum rings
YD Sibirmovsky, IS Vasil'Evskii, AN Vinichenko, IS Eremin, OS Kolentsova, ...
Journal of Physics: Conference Series 643 (1), 012073, 2015
52015
Особенности формирования ансамблей квантовых колец GaAs/AlGaAs и InGaAs/AlGaAs методом капельной эпитаксии
ИС Васильевский, АН Виниченко, ИС Еремин, ДМ Жигунов, НИ Каргин, ...
Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ 2 (3 …, 2013
52013
Новая структура для фотопроводящих антенн на основе сверхрешетки {LTG-GaAs/GaAs: Si} на подложке GaAs (111) A
ГБ Галиев, ИН Трунькин, АЛ Васильев, ИС Васильевский, ...
Кристаллография 64 (2), 184-191, 2019
42019
Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains
IV Altukhov, SE Dizhur, MS Kagan, NA Khvalkovskiy, SK Paprotskiy, ...
Semiconductors 52, 473-477, 2018
42018
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20