Effect of heating rate on oxidation process of fine-dispersed ZnS:Mn obtained by SHS VVK Yu.Yu. Bacherikov, A.G. Zhuk, O.B., Okhrimenko, D.L. Kardashov, S.V ... Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 18 (2), 226-229, 2015 | 2 | 2015 |
Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis SVK Yu.Yu. Bacherikov, A.G. Zhuk, O.B. Okhrimenko, D.L. Kardashov Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 18 (3), 309-311, 2015 | 1 | 2015 |
Orbital removal method for the neutral vacancy in semiconductors VK Bashenov, DL Kardashev, DI Marvakov International Centre for Theoretical Physics, 1986 | 1 | 1986 |
DESIGN OF DETECTOR OF INTERNAL COMBUSTION ENGINE’S CRANKSHAFT TORSIONAL VIBRATIONS BASED ON ACCELEROMETER METHOD ASE Veretennik A.M, Kardashev D.L PROCEEDINGS OF THE 3RD ANNUAL CONFERENCE: Technology transfer: fundamental …, 2019 | | 2019 |
Local vibrational density of states in disordered graphene KDR D.L. Kardashev Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 19 (3), 315-317, 2016 | | 2016 |
Люмінесцентні характеристики низькодисперсного ZnS: Mn, отриманого методом СВС ЮЮ Бачеріков, АГ Жук, ОБ Охріменко, СВ Козицький, ДЛ Кардашев, ... Сумський державний університет, 2015 | | 2015 |
Локальная плотность электронных состояний аморфного графена ДЛ Кардашев, ЕС Артеменко, КД Кардашев Сумский государственный университет, 2015 | | 2015 |
Радіальна вібрація поршневих кілець суднових малообертових дизелів АОС Кардашев Д.Л. Судовые энергетические установки 34, 5-1-, 2014 | | 2014 |
Локальна густина електронних станів графену Д Кардашев, К Кардашев Матеріали всеукраїнської наукової конференції „Актуальні проблеми …, 2012 | | 2012 |
LOCAL DENSITY OF STATES OF ELECTRONS IN GRAPHEN КД Кардашев, ДЛ Кардашев Photoelectronics, 18-21, 2012 | | 2012 |
Local density of states of electrons in graphen KD Kardashev, DL Kardashev Фотоэлектроника, 18-21, 2012 | | 2012 |
Local density of states of electrons in grafen DLK K.D. Kardashev Photoelectronics, 18-21, 2012 | | 2012 |
Густина електронних станів і рівні нейтральної вакансії в аморфних ковалентних напівпровідниках ДЛ Кардашев PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE 2 (4), 643-646, 2001 | | 2001 |
Вплив ізольованої домішки гідрогену на густину електронних станів аморфних напівпровідникових плівок Si і Ge ДЛ Кардашев PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE 2 (3), 459-460, 2001 | | 2001 |
Электронные уровни нейтральных вакансий в А3В5 полупроводниках НАВ Баженов В.К., Кардашев Д.Л. ФТП 20 (1), 113-117, 1986 | | 1986 |
Авторський покажчик ІМ Андріїшин, МС Базар, ЮВ Бандура, СД Бардашевська, ... | | |