| A nanoelectronic device simulation software system NANODEV: New opportunities II Abramov, AL Baranoff, IA Goncharenko, NV Kolomejtseva, YL Bely, ... International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2009 7521, 452-462, 2010 | 57 | 2010 |
| Система моделирования наноэлектронных приборов-NANODEV ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, СА Игнатенко, АВ Королев, ЕГ Новик, ... Микроэлектроника 32 (2), 124-124, 2003 | 51 | 2003 |
| Комбинированная модель резонансно-туннельного диода ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, НВ Коломейцева Физика и техника полупроводников 39 (9), 1138-1145, 2005 | 43 | 2005 |
| Численная комбинированная модель резонансно-туннельного диода ИИ Абрамов, ИА Гончаренко Электромагнитные волны и электронные системы 7 (3), 54-60, 2002 | 32 | 2002 |
| Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, НВ Коломейцева Физика и техника полупроводников 41 (11), 1395-1400, 2007 | 29 | 2007 |
| NANODEV: a nanoelectronic-device simulation software system II Abramov, IA Goncharenko, SA Ignatenko, AV Korolev, EG Novik, ... Russian Microelectronics 32, 97-104, 2003 | 26 | 2003 |
| A combined model of a resonant-tunneling diode II Abramov, IA Goncharenko, NV Kolomeitseva Semiconductors 39, 1102-1109, 2005 | 20 | 2005 |
| Моделирование резонансно-туннельных приборных структур на основе углеродных наноматериалов ИИ Абрамов, НВ Коломейцева, ВА Лабунов, ИА Романова Нанотехнологии: разработка, применение-XXI век 9 (3), 3-11, 2017 | 16 | 2017 |
| Simulation of physical processes in nanoelectronic devices with the use NANODEV system II Abramov, KI Abramov, IA Goncharenko, SA Ignatenko, AP Kazantsev, ... Micro-and Nanoelectronics 2005 6260, 534-541, 2006 | 16 | 2006 |
| Simulation of field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on graphene II Abramov, VA Labunov, NV Kolomejtseva, IA Romanova International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2016 10224, 214-223, 2016 | 15 | 2016 |
| КОМБИНИРОВАННАЯ ДВУХЗОННАЯ МОДЕАЬ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ОДНИМ ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ И ПРОТЯЖЕННЫМИ ПРИКОНТАКТНЫМИ ОБЛАСТЯМИ ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, НВ Коломейцева Микросистемная техника, 36-40, 2004 | 14 | 2004 |
| О рабочей температуре одноэлектронных транзисторов ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, ЕГ Новик Письма в Журнал технической физики 24 (8), 16-19, 1998 | 13 | 1998 |
| Simulation of graphene field-effect transistors and resonant tunneling diodes based on carbon nanomaterials II Abramov, VA Labunov, NV Kolomejtseva, IA Romanova, ... International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2018 11022, 97-107, 2019 | 12 | 2019 |
| Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами ИИ Абрамов, НВ Коломейцева, ВА Лабунов, ИА Романова Новые технологии, 2017 | 11 | 2017 |
| Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа ИИ Абрамов, НВ Коломейцева, ВА Лабунов, ИА Романова | 10 | 2015 |
| Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, НВ Коломейцева Нано-и микросистемная техника, 10-13, 2009 | 10 | 2009 |
| Two-band combined model of a resonant tunneling diode II Abramov, IA Goncharenko, NV Kolomeitseva Semiconductors 41, 1375-1380, 2007 | 10 | 2007 |
| The influence of classical and quantum-mechanical regions interaction on IV-characteristics of RTD based on different materials II Abramov, IA Goncharenko, NV Kolomejtseva Micro-and Nanoelectronics 2003 5401, 482-487, 2004 | 10 | 2004 |
| ИССЛЕДОВАНИЕ ДВУХБАРЬЕРНОИ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs/AlAs С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОМБИНИРОВАННОЙ ДВУХЗОННОЙ МОДЕЛИ ИИ Абрамов, ИА Гончаренко, НВ Коломейцева Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2004 | 10 | 2004 |
| Simulation of devices based on carbon nanotubes and graphene II Abramov, VA Labunov, NV Kolomejtseva, IA Romanova International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2014 9440, 349-358, 2014 | 9 | 2014 |
